[发明专利]一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710791564.5 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107623040A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈荣盛;刘远;吴朝晖;李斌;李国元 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管及其制造方法，晶体管包括衬底，所述衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有铟镓锌氧化物薄膜，所述铟镓锌氧化物薄膜上设有钝化层、源漏接触电极和栅介质层，所述栅介质层上设有栅电极。本发明采用了顶栅结构，减少了寄生电容，增强了等比缩小能力，降低了栅极的驱动电压，采用砷离子或者磷离子作为注入离子，并对注入离子后的源漏区进行退火处理，得到了低阻的N型重掺杂区，使得晶体管具有低接触电阻和热稳定性好的优点。本发明可以广泛应用于半导体领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟镓锌 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管，其特征在于：包括衬底，所述衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有铟镓锌氧化物薄膜，所述铟镓锌氧化物薄膜从左至右分为三个区域，其中，铟镓锌氧化物薄膜的左右两个区域均为N型重掺杂源漏区，铟镓锌氧化物薄膜的中间区域为无掺杂铟镓锌氧化物区，所述铟镓锌氧化物薄膜上设有钝化层、源漏接触电极和栅介质层，所述栅介质层上设有栅电极，所述源漏接触电极通过钝化层的接触孔与铟镓锌氧化物薄膜欧姆接触。
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