[发明专利]三维石墨烯网状结构负载二硫化钼纳米材料的制备与应用在审
| 申请号： | 201710791716.1 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107774282A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 何春年;刁乐晨;赵乃勤;师春生;刘恩佐;何芳;马丽颖;李家俊 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;C25B1/04;C25B11/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维石墨烯网状结构负载二硫化钼纳米材料及其制备和应用，该材料为二硫化钼纳米片均匀负载在三维石墨烯网络上，其中二硫化钼纳米片在50‑200nm，三维石墨烯厚度为1‑10nm，三维石墨烯网络半径在5‑50μm，该材料中二硫化钼与总碳量的质量百分比为(0.4‑0.8)(0.6‑0.2)。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 石墨 网状结构 负载 二硫化钼 纳米 材料 制备 应用 | ||
【主权项】：
一种三维石墨烯网状结构负载二硫化钼纳米材料，其特征在于，该材料为二硫化钼纳米片均匀负载在三维石墨烯网络上，其中二硫化钼纳米片在50‑200nm，三维石墨烯厚度为1‑10nm，三维石墨烯网络半径在5‑50μm，该材料中二硫化钼与总碳量的质量百分比为：(0.4‑0.8):(0.6‑0.2)。
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