[发明专利]一种低散射背底的中子吸收材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710792313.9 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107564598A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 柯于斌;曹磊;陶举洲;杜慧玲 | 申请（专利权）人： | 东莞中子科学中心 |
| 主分类号： | G21F1/02 | 分类号： | G21F1/02;G21F1/10 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 523808 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种低散射背底的中子吸收材料及其制备方法和应用。本申请的低散射背底的中子吸收材料，其主要成份包括碳化硼粉和聚四氟乙烯。本申请的中子吸收材料，在碳化硼粉中添加聚四氟乙烯，一方面，在保障中子吸收性能的前提下，提高了中子吸收材料致密化烧结的相对密度，改善了其加工性能；另一方面，使得中子吸收材料可以在450℃以下的低温进行烧结，工艺简单、能耗低、成本低。本申请的中子吸收材料，为碳化硼类中子吸收材料的大规模产业化生产和广泛应用奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 散射 中子 吸收 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种低散射背底的中子吸收材料，其特征在于：主要成份包括碳化硼粉和聚四氟乙烯。
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