[发明专利]集传感器及发光器为一体的高度集成型生物芯片及方法有效
申请号: | 201710792430.5 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107703199B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 张佰君;黄德佳;邢洁莹 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414;G01N27/416 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈伟斌 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及生命科学半导体芯片的技术领域,更具体地,涉及集传感器及发光器为一体的高度集成型生物芯片及方法。本发明集成了传感器、参比电极、发光器,芯片尺寸更小,易植入生物体内,操作方便。本发明具有尺寸小、制作工艺简单、测试精度高、稳定性好、损耗低、重复性好,易植入生物体内等特点,能在对各类生物分子环境进行光照刺激的同时进行生物分子的测量。 | ||
搜索关键词: | 传感器 发光 一体 高度 集成 生物芯片 方法 | ||
【主权项】:
1.集传感器及发光器为一体的高度集成型生物芯片,其特征在于,通过选区生长得到传感器与发光器的不同外延结构;其中传感器自下而上包括衬底层,以及依次形成在衬底层上的缓冲层、GaN层、AlGaN层;所述GaN层上形成凸台,GaN层和AlGaN层形成在GaN层的凸台上,所述AlGaN层上形成有源电极金属和漏电极金属,所述GaN层上形成参比电极,所述源电极金属和漏电极金属之间形成生物分子膜,所述生物分子膜即为传感区域;其中发光器自下而上包括衬底层,以及依次形成在衬底层上的缓冲层、GaN层、AlGaN层、图形化掩膜层、在传感器的外延结构上进行选择性外延生长的n‑GaN层、有源层、p‑GaN层以及透明导电薄膜,所述GaN层上形成凸台,GaN层、AlGaN层、图形化掩膜层、在传感器的外延结构上进行选择性外延生长的n‑GaN层、有源层、p‑GaN层以及透明导电薄膜形成在GaN层的凸台上,p电极金属设置在透明导电薄膜上,n电极金属设置在AlGaN层上;GaN层上还设有多个Pad区域,所述源电极金属、漏电极金属、参比电极、p电极金属、n电极金属、皆与对应的Pad区域电连接。
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