[发明专利]一种纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710793429.4 申请日: 2017-09-06
公开(公告)号: CN107597147B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 彭志坚;张宇;官顺东;符秀丽 申请(专利权)人: 中国地质大学(北京)
主分类号: B01J27/043 分类号: B01J27/043;B01J35/06;B01J37/02;B01J37/03;B01J37/10;B01J37/18;B01J37/34;C01B3/04;H01G9/20;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构及其制备方法,属于新能源材料制备技术领域。所述复合结构材料主体为花状硫化镉纳米材料,其表面均匀沉积着一层β‑硫化镍薄膜,形成一种异质包覆结构。该方法采用次亚磷酸钠作还原剂、水作反应溶剂、硝酸镉为镉源、醋酸镍为镍源、硫脲为硫源,在高压反应釜中,同时实现了花状硫化镉纳米材料的合成和β‑硫化镍薄膜在其表面的生长,一步合成得到了纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构。这种方法制备出的复合结构材料产量大、密度高、纯度高、形貌可控;而且该方法具有设备和工艺简单、合成生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉、生产过程清洁环保等优点。所获得的材料是优异的可见光催化剂。
搜索关键词: 硫化镍 薄膜 硫化镉纳米材料 复合结构材料 纳米花状 异质结构 硫化镉 花状 制备 合成 可见光催化剂 制备技术领域 次亚磷酸钠 高压反应釜 新能源材料 包覆结构 反应溶剂 均匀沉积 清洁环保 生产过程 生长条件 形貌可控 一步合成 醋酸镍 还原剂 硝酸镉 可控 硫源 硫脲 镍源 收率 水作 异质 镉源 生长
【主权项】:
1.一种纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构的制备方法,其特征在于,所述异质结构主体为花状硫化镉纳米材料,其表面均匀沉积着一层β-硫化镍薄膜,形成一种异质包覆结构;所述方法利用次亚磷酸钠在多种衬底上的优异的化学镀均匀镍膜的特性,直接采用次亚磷酸钠作还原剂,用水作为反应溶剂,以硝酸镉为镉源、醋酸镍为镍源、硫脲为硫源,在高压反应釜中,同时实现了花状硫化镉纳米材料的合成和β-硫化镍薄膜在其表面的生长,一步合成得到了纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构;包括以下步骤:/n(1)在烧杯中,首先加入去离子水,然后依次加入硝酸镉、醋酸镍、硫脲和次亚磷酸钠,然后将烧杯置于磁力搅拌器上搅拌直至原料完全溶解;/n(2)将所配制的混合溶液转移至高压反应釜中,并密封;然后其置于电热恒温箱中,快速加热升温到120-200℃,并保温2-24小时;自然冷却到室温后,打开反应釜,即可在反应釜中得到大量的沉淀;/n(3)用离心管收集得到的沉淀,并用水和酒精交替超声分散、离心清洗沉淀物3-5次,最后将所得沉淀物放置于60-70℃干燥箱中保温12~24小时,即得到所述纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构。/n
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