[发明专利]一种去除DBR膜层的制作方法有效
| 申请号： | 201710793690.4 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107623060B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 艾国齐 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种去除DBR膜层的制作方法，包括：提供一LED晶圆，其中，所述LED晶圆的底部设有DBR膜层，对所述DBR膜层进行刻蚀，形成第一孔洞，对所述第一孔洞进行干法刻蚀，形成贯穿所述DBR膜层的第二孔洞，对所述DBR膜层进行湿法刻蚀，去除所述DBR膜层，先对DBR膜层进行光刻，能够形成多个规则、尺寸同一的第一孔洞，这样有利于后续的刻蚀，从而最终使DBR膜层顺利去除，进一步地，通过形成第二孔洞便于使刻蚀溶液渗入到所述DBR膜层与所晶园的述衬底之间，从而便于去除所述DBR膜层，提高DBR膜层的去除率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 dbr 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除DBR膜层的制作方法，包括：提供一LED晶圆，其中，所述LED晶圆的底部设有DBR膜层；采用光刻工艺对所述DBR膜层进行刻蚀，形成第一孔洞，第一孔洞的深度为所述DBR膜层总厚度的10％～50％；对所述第一孔洞进行干法刻蚀，形成贯穿所述DBR膜层的第二孔洞，所述第二孔洞与第一孔洞的总的深度为所述DBR膜层的深度的101‑108％；采用HF和NH4F的混合溶液对所述DBR膜层进行湿法刻蚀，去除所述DBR膜层。
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