[发明专利]光刻方法在审
申请号: | 201710794553.2 | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN109212893A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 翁明晖;吴承翰;张庆裕;林进祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/56 | 分类号: | G03F1/56 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本公开实施例提供光刻光致抗蚀剂材料与对应的光刻技术以改善光刻分辨率,特别是在显影时降低光致抗蚀剂层的膨润现象。例示性的光刻方法包含在光致抗蚀剂层上进行处理工艺,使光致抗蚀剂层的酸活性基团组成经由可交联功能组成进行交联反应;在光致抗蚀剂层上进行曝光工艺;以及在光致抗蚀剂层上进行显影工艺。在一些实施方式中,曝光工艺后的光致抗蚀剂层包含曝光部分与未曝光部分,且处理工艺可增加未曝光部分中的聚合物分子量,以降低未曝光部分对显影工艺采用的显影剂的溶解度。处理工艺可在曝光工艺之前或之后进行。处理工艺可包含进行热处理和/或电磁波处理,以加热光致抗蚀剂层。 | ||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂层 处理工艺 曝光工艺 光刻 曝光 显影工艺 光致抗蚀剂材料 聚合物分子量 电磁波处理 光刻分辨率 热处理 功能组成 光刻技术 交联反应 抗蚀剂层 加热光 可交联 溶解度 酸活性 显影剂 膨润 显影 | ||
【主权项】:
1.一种光刻方法,包括:在一光致抗蚀剂层上进行一处理工艺,使该光致抗蚀剂层的酸活性基团组成经由可交联功能组成产生交联;在该光致抗蚀剂层上进行一曝光工艺;以及在该光致抗蚀剂层上进行一显影工艺,以形成一图案化光致抗蚀剂层于一工件上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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