[发明专利]一种IBC电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种N型晶硅衬底的IBC电池及其制备方法。以具有表面随机分布有倒四棱锥组的N型晶硅片作为衬底，在背面局部区域形成p‑n结，在背面进行局域同导电类型掺杂，形成N+和P+层，在电池正面依次形成氧化硅层、氮化硅层，在电池背面形成氧化硅层，在N型晶硅衬底背面的N+和P+区域分别印刷金属正负电极、烧结得到本发明的IBC电池。本发明通过在正表面制备随机分布有倒四棱锥组的绒面，增加了光的吸收，易于钝化，提高了电池效率。

主权项

一种IBC电池，其包括N型晶硅衬底、钝化层、正负电极，所述硅衬底表面随机分布倒四棱锥组，所述硅衬底的倒四棱锥组包括二个或多个至少部分相互叠加的倒四棱锥，在硅衬底的背面局域掺杂，形成P‑N结，在硅衬底背面局域掺杂形成N+和P+层，在电池正面依次形成氧化硅层、氮化硅层，在电池背面形成氧化硅层，背面钝化层开窗，在N型晶硅衬底背面的N+和P+区域分别印刷金属正负电极，电极与掺杂层形成欧姆接触，烧结得到IBC电池。