[发明专利]一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件

摘要

本发明属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件。本发明依靠纵向BJT触发的SCR器件(VBTSCR)在传统LSCR器件基础上引入了一条额外的触发通路：通过在第一种导电类型阱区内引入ESD注入层，构成一个纵向结构的基区浮空NPN晶体管；ESD注入层为一种中等掺杂浓度的P型掺杂区，其掺杂浓度介于漏/源重掺杂有源区浓度和阱区掺杂浓度之间；纵向结构的基区浮空NPN晶体管的共发射极集电结雪崩击穿电压BVCEO很小，将其用作SCR的触发器件，可实现SCR器件触发电压的大幅降低，从而实现对先进纳米工艺下的电路提供有效ESD防护。

主权项

一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件，包含第二种导电类型硅衬底(110)，所述衬底上形成第一种导电类型深阱区(140)，所述深阱区上形成相邻接的一个第一种导电类型阱区(120)和一个第二种导电类型阱区(130)，所述第一种导电类型阱区内设有均与阳极相连的第一种导电类型重掺杂区B(123)和第二种导电类型重掺杂区A(124)，所述第二种导电类型阱区内设有均与阴极相连的第一种导电类型重掺杂C(132)和第二种导电类型重掺杂区C(133)；其特征在于，所述第二种导电类型阱区(130)内还设有第二种导电类型重掺杂区B(131)，所述第一种导电类型阱区(120)内还设有第一种导电类型重掺杂区A(122)、以及位于第一种导电类型重掺杂区A下方的一个ESD注入层(121)，所述ESD注入层(121)将所述第一种导电类型重掺杂区A(122)和所述第一种导电类型阱区(120)完全隔离开；所述ESD注入层为第二种导电类型掺杂区、其掺杂浓度介于所述第一种导电类型重掺杂区A(122)和所述第一种导电类型阱区(120)之间；所述第一种导电类型重掺杂区A(122)与第二种导电类型重掺杂区B(131)相连。