[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201710796424.7 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN108573959B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 田上政由;胜又龙太;饭島纯;清水徹哉;臼井孝公;藤田弦晖 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的存储装置具备：第1存储单元阵列；第2存储单元阵列，相对于所述第1存储单元阵列配置在第1方向；第1接触插塞，在所述第1存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸；以及第2接触插塞，在所述第2存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸，且电连接在所述第1接触插塞。所述第1存储单元阵列包含在所述第1方向上积层的多个第1电极层、及贯通所述多个第1电极层的第1半导体柱，所述第2存储单元阵列包含在所述第1方向上积层的多个第2电极层、及贯通所述多个第2电极层的第2半导体柱。所述第1接触插塞电连接在所述第1半导体柱，所述第2接触插塞电连接在所述第2半导体柱。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于具备：第1存储单元阵列，包含在第1方向上积层的多个第1电极层、及在所述第1方向上贯通所述多个第1电极层的第1半导体柱；第1接触插塞，在所述第1存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸，且电连接在所述第1半导体柱；第2存储单元阵列，包含在所述第1方向上积层的多个第2电极层、及在所述第1方向上贯通所述多个第2电极层的第2半导体柱，且相对于所述第1存储单元阵列配置在所述第1方向；以及第2接触插塞，在所述第2存储单元阵列中沿着所述第1方向延伸，且电连接在所述第2半导体柱及所述第1接触插塞。
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