[发明专利]灵活多电平无桥功率因数校正变换器及调制方法

摘要

本发明涉及一种灵活多电平无桥功率因数校正变换器及调制方法，变换器包括交流电感部分、电力电子开关网络和直流电容部分；二极管D1阳极连接到开关管S1漏极，开关管S1源极连接到开关管S2漏极；二极管D2阳极连接到开关管S3漏极，开关管S3源极连接到开关管S4漏极；开关管S5源极连接到开关管S3源极；开关管S6源极连接到开关管S1源极；二极管D1阴极和二极管D2阴极相连；开关管S2源极和开关管S4源极相连；开关管S5漏极和开关管S6漏极相连。能减少电感损耗和体积、降低低输入电压时通态损耗，直流电容更小，具有更高的功率密度；能在不改变电路结构的条件下，灵活地实现五电平和七电平两种工作状态切换。

主权项

一种灵活多电平无桥功率因数校正变换器，包括交流电感部分(110)、电力电子开关网络(120)和直流电容部分(130)；其特征在于：所述电力电子开关网络(120)包含N沟道MOSFET开关管S1、N沟道MOSFET开关管S2、N沟道MOSFET开关管S3、N沟道MOSFET开关管S4、N沟道MOSFET开关管S5及N沟道MOSFET开关管S6，以及二极管D1和二极管D2；其中，二极管D1阳极连接到N沟道MOSFET开关管S1漏极，N沟道MOSFET开关管S1源极连接到N沟道MOSFET开关管S2漏极，N沟道MOSFET开关管S2源极连接到N沟道MOSFET开关管S4源极；二极管D2阳极连接到N沟道MOSFET开关管S3漏极，N沟道MOSFET开关管S3源极连接到N沟道MOSFET开关管S4漏极；二极管D1阴极连接到二极管D2阴极；N沟道MOSFET开关管S5源极连接到N沟道MOSFET开关管S3源极，N沟道MOSFET开关管S5漏极连接到直流电容部分(130)中点；N沟道MOSFET开关管S6源极连接到N沟道MOSFET开关管S1源极，N沟道MOSFET开关管S6漏极连接到直流电容部分(130)中点；所述直流电容部分(130)包括两个串联的电容C1和电容C2；其中，电容C1的正极连接到二极管D2的阴极，电容C1的负极连接到电容C2正极、N沟道MOSFET开关管S5漏极和N沟道MOSFET开关管S6漏极的接点；电容C2的负极连接到N沟道MOSFET开关管S2源极和N沟道MOSFET开关管S4源极的接点；所述交流电感部分(110)包含电感L1和电感L2；其中，电感L1的一端连接于N沟道MOSFET开关管S1漏极和二极管D1阳极的接点，电感L1的另一端连接于输入的一端，而输入的另一端连接于电感L2的一端，而电感L2的另一端连接于N沟道MOSFET开关管S3漏极和二极管D2阳极的接点，且电感L1的电感量与电感L2的电感量相等。