[发明专利]立体存储器元件及其制作方法

摘要

一种立体(three dimensional，3D)存储器元件，包括：基材、多层叠层结构(multi‑layers stack)以及介电材质。基材具有至少一个凹陷部，由基材表面沿第一方向延伸进入基材。多层叠层结构包括多个导电层和多个绝缘层平行第一方向交错叠层于凹陷部的底面上。其中，多层叠层结构具有至少一个凹室沿第一方向穿过这些导电层和绝缘层；此凹室具有垂直第一方向的底部截面尺寸和开口尺寸，且底部截面尺寸实质大于开口尺寸。介电材质至少部分填充于凹室之中。

主权项

1.一种立体(three dimensional，3D)存储器元件，包括：一基材具有一表面以及至少一凹陷部由该表面沿一第一方向延伸进入该基材；一多层叠层结构(multi‑layers stack)，包括多个导电层和多个绝缘层平行该第一方向交错叠层于该至少一凹陷部的一底面上，其中该多层叠层结构具有至少一凹室，沿该第一方向穿过这些导电层和这些绝缘层，该至少一凹室具有垂直该第一方向的一底部截面尺寸和一开口尺寸，且该底部截面尺寸大于该开口尺寸；以及一介电材质，至少部分填充于该至少一凹室之中。