[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供的半导体器件包括具有适当的二极管特性的Ge光电二极管。沟槽提供在从锗生长保护膜的顶表面起但没有到达半导体衬底的主表面的锗生长保护膜、p型硅层和第一绝缘膜上。i型锗层和n型锗层被嵌入在沟槽中，籽晶层介于该层和沟槽之间，籽晶层由非晶硅、多晶硅或硅锗制成。i型锗层和n型锗层都没有从锗生长保护膜的顶表面突出，从而在n型锗层和锗生长保护膜上形成了具有基本均匀厚度的平坦的第二绝缘膜。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底的主表面上方的第一绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜上方的硅层；形成在所述硅层上方的保护膜；沟槽，所述沟槽从所述保护膜的顶表面起，形成在所述保护膜、所述硅层和所述第一绝缘膜上方，但没有到达所述半导体衬底的所述主表面；形成在所述沟槽的底部和侧面上方的籽晶层；嵌入在所述沟槽中的锗层，所述籽晶层介于所述锗层和所述沟槽之间；以及形成在所述锗层和所述保护膜上方的第二绝缘膜。