[发明专利]一种薄膜太阳能电池吸收层制备工艺控制方法有效
申请号: | 201710800854.1 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN107731956B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 翟宇宁;谢小科;于华君 | 申请(专利权)人: | 东君新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京正和明知识产权代理事务所(普通合伙) 11845 | 代理人: | 申婕 |
地址: | 101499 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池吸收层制备工艺控制方法,所述工艺控制方法通过输入装置、信号采集装置、信号反馈控制装置实现工艺控制,所述工艺控制方法包括以下步骤:S1,根据生产参数要求,输入装置上设置输入控制变量和标定量;S2,设置信号采集装置采集输入装置的光学信号并传输至信号反馈控制装置;S3,信号反馈控制装置将光学信号转换成输出控制变量与标定量对比,判断并形成模拟信号指令传输至输入装置;S4,输入装置根据模拟信号指令判断调整输入控制变量,并重复步骤S2、S3。本发明提供的工艺控制方法实现闭环控制生产过程,实时自动调整参数,响应速度高,实现吸收层均匀性的控制,保证工艺稳定性和精确性,提高电池芯片的良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 吸收 制备 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池吸收层制备工艺控制方法,其特征在于:所述工艺控制方法通过输入装置、信号采集装置和信号反馈控制装置实现对太阳能电池吸收层制备工艺的控制,所述工艺控制方法包括以下步骤:S1,所述输入装置包括金属源(11)和非金属源(12),根据薄膜太阳能电池吸收层膜层厚度及元素梯度分布要求,分别设置各分布层金属源(11)和非金属源(12)的输入控制变量,并设置各分布层输出控制变量标定值;S2,所述信号采集装置包括纵向光学检测器(21)和横向光学检测器(22),所述纵向光学检测器(21)采集分布层金属源(11)的金属元素和非金属源(12)的非金属元素的光学信号,所述横向光学检测器(22)采集各分布层累积非金属元素和金属元素的光学信号,并将所述光学信号传输至信号反馈控制装置;S3,所述信号反馈控制装置设置有信号转换及反馈单元和控制单元,所述信号转换及反馈单元将接收到的光学信号通过计算处理转换为输出控制变量,并将输出控制变量传递给控制单元,控制单元判断与输入装置设置的输出控制变量标定值比对,并判断输出控制变量值与输出控制变量标定值的偏差大小,信号转换及反馈单元将判断结果转换为模拟信号指令传输至输入装置; S4,若步骤S3判断输出控制变量值与输出控制变量标定值的偏差在工艺允许偏差范围内,则输出模拟信号指令保持输入控制变量不变,否则输入装置根据模拟信号指令重置输入控制变量,重复步骤S2、S3至输出控制变量值与输出控制变量标定值的偏差在工艺允许偏差范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的