[发明专利]一种碲化镉太阳能电池制备方法及碲化镉太阳能电池在审
| 申请号： | 201710801094.6 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107492584A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 周航;唐涛;梁军 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/073 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11624 | 代理人： | 任漱晨 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种碲化镉太阳能电池制备方法及碲化镉太阳能电池，本发明实施例提供了一种碲化镉太阳能电池制备方法，所述方法包括在掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃上沉积一层硫化镉CdS薄膜；在硫化镉CdS薄膜上沉积一层碲化镉CdTe薄膜；在氯化镉CdCl2气氛中，对碲化镉CdTe薄膜进行退火处理；在碲化镉CdTe薄膜上旋涂碳纳米管的混合溶液，再在干空气中退火形成碳纳米管薄膜；在碳纳米管薄膜上沉积金属电极。上述技术方案具有如下有益效果使碳纳米管层具备很好的热稳定性，从而电池不会像铜Cu掺杂做背电极那样出现效率减退，延长使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化镉 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化镉太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：在掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃上沉积一层硫化镉CdS薄膜；在硫化镉CdS薄膜上沉积一层碲化镉CdTe薄膜；在氯化镉CdCl2气氛中，对碲化镉CdTe薄膜进行退火处理；在碲化镉CdTe薄膜上旋涂碳纳米管的混合溶液，再在干空气中退火形成碳纳米管薄膜；在碳纳米管薄膜上沉积金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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