[发明专利]存储单元与具有其的存储器在审
| 申请号： | 201710802669.6 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109473543A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘瑞盛;杨成成 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储单元与具有其的存储器。该存储单元包括第一MTJ和第二MTJ，第一MTJ包括极化层，在其高度方向上的任意截面具有第一表面积，第二MTJ包括参考层，且第一MTJ和第二MTJ共用自由层，在其高度方向上的任意截面具有第二表面积，第一表面积大于第二表面积。当一定量的电流通过第二MTJ时，自由层的磁化方向通过磁旋转移力矩效应发生翻转，当第参考层和自由层的磁化方向平行或反平行时，该第二MTJ的电阻呈现低、高阻态，且上述极化层和自由层通过第一非磁性层隔离，其磁化方向和自由层的磁化方向相垂直，采用上述新型器件结构能够有效降低磁旋存储器的写入电流以及提高磁旋存储器的写入速度等。 | ||
| 搜索关键词： | 自由层 存储器 磁化方向 存储单元 参考层 极化层 磁化方向平行 新型器件结构 电流通过 非磁性层 力矩效应 写入电流 翻转 反平行 高阻态 电阻 写入 垂直 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，其特征在于，包括第一MTJ和第二MTJ，所述第一MTJ包括：极化层(20)，具有第一固定磁化方向；第一隔离层(30)，设置于所述极化层(20)的一侧表面；自由层(40)，设置于所述第一隔离层(30)远离所述极化层(20)的一侧表面，且所述自由层(40)的磁化方向与所述第一固定磁化方向垂直，所述第二MTJ包括：所述自由层(40)；第二隔离层(50)，设置于所述自由层(40)远离所述第一隔离层(30)的一侧表面；参考层(60)，设置于所述第二隔离层(50)远离所述自由层(40)的一侧表面，所述参考层(60)具有第三固定磁化方向，且所述自由层(40)的磁化方向与所述第三固定磁化方向的磁化方向平行或反平行，其中，所述自由层(40)、所述第二隔离层(50)和所述参考层(60)的叠置方向为第一方向，与所述第一方向垂直的方向为第二方向，所述极化层(20)在所述第二方向上的任意截面具有第一表面积，所述自由层(40)在所述第二方向上的任意截面具有第二表面积，所述第一表面积大于所述第二表面积。
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