[发明专利]非挥发性存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种非挥发性存储器装置及其制造方法。此非挥发性存储器装置包括穿隧氧化物层、浮动栅极、介电层与控制栅极。穿隧氧化物层形成于基板上。浮动栅极形成于穿隧氧化物层上，且包括第一多晶硅层、第二多晶硅层及氮掺质。第一多晶硅层的晶粒具有第一晶粒尺寸，第二多晶硅层的晶粒具有大于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。氮掺质形成于第一多晶硅层中的晶粒之间的缝隙中。介电层包括第一氮化物薄膜、氧化物层、氮化物层及氧化物层，且顺应性地形成于浮动栅极上。控制栅极形成于介电层上。本发明可大幅改善非挥发性存储器装置的可靠度与耐久性，且不需要大幅修改或是更换工艺及/或生产设备，对于生产成本的影响很小。

主权项

1.一种非挥发性存储器装置，其特征在于，包括：一穿隧氧化物层，形成于一基板上；一浮动栅极，形成于该穿隧氧化物层上，其中该浮动栅极包括：一第一多晶硅层，包括多个具有第一晶粒尺寸的第一多晶硅晶粒；一第二多晶硅层，形成于该第一多晶硅层上，包括多个具有第二晶粒尺寸的第二多晶硅晶粒，其中该第二晶粒尺寸大于该第一晶粒尺寸，且其中该第二多晶硅层包括一掺质；以及一氮掺质，形成于第一多晶硅层中且位于该多个第一多晶硅晶粒之间的一缝隙中；一介电层，形成于该浮动栅极上，其中该介电层包括：一第一氮化物薄膜，顺应性地形成且覆盖于该浮动栅极上；以及一氧化物层/氮化物层/氧化物层结构，顺应性地形成于该第一氮化物薄膜上；以及一控制栅极，形成于该介电层上。