[发明专利]一种具有预加重功能的DDR接口电路在审

专利信息
申请号: 201710803808.7 申请日: 2017-09-08
公开(公告)号: CN107733424A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 孔亮;庄志青;职春星 申请(专利权)人: 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H03K19/003
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙)11311 代理人: 田明,任晓航
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种具有预加重功能的DDR接口电路,与芯片的输出端相连,包括漏极连接电源、源极串接一个第一电阻、栅极连接第一逻辑单元的一个PMOS管,第一逻辑单元用于输出高电平1;还包括漏极串接一个第二电阻、源极连接公共端、栅极连接第二逻辑单元的一个NMOS管,第二逻辑单元用于输出低电平0;第一电阻、第二电阻串连,输出端的线路连接在第一电阻、第二电阻之间的线路上;PMOS管、第一电阻之间的电阻比值以及NMOS管、第二电阻之间的电阻比值能够对输出端的输出信号实现预加重功能。该DDR接口电路节省了电路面积,简化了电路结构,降低了芯片的成本和制造难度,DDR接口电路的信号在整个输送期间的电阻不会发生变化。
搜索关键词: 一种 具有 加重 功能 ddr 接口 电路
【主权项】:
一种具有预加重功能的DDR接口电路,与芯片的输出端(7)相连,其特征是:包括漏极连接电源、源极串接一个第一电阻(2)、栅极连接第一逻辑单元(3)的一个PMOS管(1),所述第一逻辑单元(3)用于输出高电平1;还包括漏极串接一个第二电阻(5)、源极连接公共端、栅极连接第二逻辑单元(6)的一个NMOS管(4),所述第二逻辑单元(6)用于输出低电平0;所述第一电阻(2)、第二电阻(5)串连,所述输出端(7)的线路连接在所述第一电阻(2)、第二电阻(5)之间的线路上;所述PMOS管(1)、第一电阻(2)之间的电阻比值以及所述NMOS管(4)、第二电阻(5)之间的电阻比值能够对所述输出端(7)的输出信号实现预加重功能。
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