[发明专利]鳍式场效应晶体管结构上的选择性SAC覆盖及相关方法有效
| 申请号： | 201710804650.5 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107808881B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 齐民华;臧辉 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/11;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及鳍式场效应晶体管结构上的选择性SAC覆盖及相关方法，提供FinFET结构以及形成此类结构的方法。该FinFET结构包括：衬底；至少两个栅极，设于该衬底上；多个源/漏区，邻近各该栅极位于该衬底内；介电质，设于各栅极与邻近各栅极的该多个源/漏区之间；介电覆盖层，设于该至少两个栅极的第一个上，其中，在该至少两个栅极的第二个上不设置介电覆盖层；以及局部互连，与该至少两个栅极的该第二个电性连接，其中，设于该至少两个栅极的该第一个上的该介电覆盖层阻止该局部互连与该至少两个栅极的该第一个之间的电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 选择性 sac 覆盖 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：鳍式场效应晶体管(FinFET)结构，包括：衬底；至少两个栅极，设于该衬底上；多个源/漏区，邻近各该栅极位于该衬底内；介电质，设于各栅极与邻近各栅极的该多个源/漏区之间；介电覆盖层，设于该至少两个栅极的第一个上，其中，在该至少两个栅极的第二个上不设置介电覆盖层；以及局部互连，与该至少两个栅极的该第二个电性连接，其中，设于该至少两个栅极的该第一个上的该介电覆盖层阻止该局部互连与该至少两个栅极的该第一个之间的电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
