[发明专利]发光二极管设备及其制造方法有效
申请号: | 201710804716.0 | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN108428775B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 郑钟勋;金大式;金成烈;辛昇龙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 曾世骁;张云珠 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种发光二极管设备及其制造方法。提供了一种发光二极管(LED)设备。所述LED设备包括:发光二极管;光转换层,堆叠在发光二极管上,并被配置为对从发光二极管入射的光的波长进行转换;反射涂层,堆叠在光转换层上,被配置为使从光转换层入射的光中的波长经过转换的光通过反射涂层,并且反射其他光;以及滤色器,堆叠在反射涂层上,并被配置为与光转换层相应。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管(LED)设备,包括:发光二极管;光转换层,被堆叠在发光二极管上,并被配置为对从发光二极管入射的光的波长进行转换;反射涂层,被堆叠在光转换层上,被配置为使从光转换层入射的光中的波长经过转换的光通过反射涂层,并且反射其他光;以及滤色器,被堆叠在反射涂层上,并被配置为与光转换层相应。
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