[发明专利]一种基于硒化锡薄膜横向热电效应的光、热探测器有效
| 申请号： | 201710805805.7 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107634138B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 闫国英;候帅航;王沁怡;王凌云;王淑芳;傅广生 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 13112 石家庄国域专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 苏艳肃 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于硒化锡薄膜横向热电效应的光、热探测器，包括探测元件、金属电极和金属引线；所述探测元件包括氧化物单晶基片和沉积在所述氧化物单晶基片上且c轴倾斜生长的硒化锡单晶薄膜；在所述硒化锡单晶薄膜的上表面对称设置有两个金属电极，所述金属电极经由所述金属导线与电压表输入端相连接。本发明采用脉冲激光沉积技术将二元材料硒化锡沉积在基片上，得到c轴倾斜生长的硒化锡单晶薄膜，并利用其横向热电效应制得了光、热探测器。该探测器的探测元件结构简单，无需制冷、偏压部件，制备工艺简便，成本低，所得到的光、热探测器响应波段宽，探测灵敏度高，在连续光辐照下探测性能优异，能够同时实现光和热的探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硒化锡 薄膜 横向 热电 效应 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种基于硒化锡薄膜横向热电效应的光、热探测器，包括探测元件、金属电极和金属引线；其特征在于，所述探测元件包括氧化物单晶基片和沉积在所述氧化物单晶基片上且c轴倾斜生长的硒化锡单晶薄膜；在所述硒化锡单晶薄膜的上表面对称设置有两个金属电极，所述金属电极经由所述金属导线与电压表输入端相连接。/n
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