[发明专利]高压元件及其制造方法

摘要

本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件形成于一半导体基板，包含：第一深阱区、横向轻掺杂区、高压阱区、绝缘区、本体区、栅极、源极、漏极与第一隔绝阱区。其中，第一深阱区与第一隔绝阱区以将该高压元件，于半导体基板上表面下，与邻近元件电性隔绝。该横向轻掺杂区于纵向上介于第一深阱区与高压阱区之间，且该横向轻掺杂区上下邻接于第一深阱区与高压阱区。其中，该横向轻掺杂区用以于该高压元件操作时，降低该高压元件内部的电容，改善瞬时响应。

主权项

1.一种高压元件，其特征在于，形成于一半导体基板，其中该半导体基板，于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面，该高压元件包含：一第一深阱区，具有一第一导电型，形成于该半导体基板中；一横向轻掺杂区，覆盖并连接于该第一深阱区上；一高压阱区，具有一第二导电型，形成于该半导体基板中，且于该纵向上，该高压阱区位于该上表面下方并接触于该上表面，且该高压阱区覆盖并连接于该横向轻掺杂区上，其中部分该高压阱区用以作为一漂移区；一绝缘区，形成于该上表面之上，用以定义一操作区；一本体区，具有该第一导电型，形成于该半导体基板中并位于该操作区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，其中部分该本体区用以作为一开关通道区，且该本体区于该上表面下方，由该高压阱区环绕其两侧及下方；一栅极，形成于该上表面上并位于该元件区中，于该纵向上，该栅极堆叠并接触于该上表面上，用以根据一栅极电压，决定该高压元件导通及不导通；一源极，具有该第二导电型，形成于该半导体基板中并位于该元件区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，且该源极于该上表面下方，由该本体区环绕其两侧及下方，于一横向上，该源极位于该栅极外的一第一侧的下方，且在该横向上，该源极与该栅极邻接；一漏极，具有该第二导电型，形成于该半导体基板中并位于该元件区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，于该横向上，该漏极位于该栅极外相对于该第一侧的一第二侧的下方，且在该横向上，该漏极与该栅极由该漂移区隔开；以及一第一隔绝阱区，具有该第一导电型，该第一隔绝阱区位于该操作区外侧，且于该上表面下方，围绕该操作区，并在该纵向上，自该上表面延伸至该第一深阱区，且与该第一深阱区连接；其中，该本体区、该栅极、该源极、与该漏极都位于该操作区中。