[发明专利]一种凹陷折射率包层的低非线性系数少模光纤

摘要

本发明提出了一种凹陷折射率包层的低非线性系数少模光纤，实现了大有效模场面积、低非线性系数、高模场密度、低差分模式群时延的超模运作；且非线性系数和差分模式群时延在C波段范围内呈平坦分布；光纤中超模的模场特性可以通过改变圆环尺寸、位置和折射率分布来改变；可应用于光纤光学、光纤通信、光纤无线接入、光学信息处理和新一代信息技术等领域。

主权项

一种凹陷折射率包层的低非线性系数少模光纤；其特征是横截面包括纯二氧化硅基质和三个折射率稍大的圆环芯；三个圆环芯大小相同、折射率分布相同，而且相邻间隔很小；三个圆环芯内圆半径为R1=R3=R5=5.25E‑6 m，外圆半径为R2=R4=R6=1.05E‑5 m；R7=3E‑5 m，R8=5E‑5 m，R9=1.1E‑4 m；左侧圆环芯中心坐标为（‑9.31E‑6 m，0），右上侧圆环芯中心坐标为（9.31E‑6 m，1.075E‑5 m），右下侧圆环芯中心坐标为（9.31E‑6 m，‑1.075E‑5 m）；三个圆环芯的折射率是=1.445468，纯二氧化硅的折射率包层=1.444024；R7和R8之间是凹陷的折射率包层，其折射率为1.4436；R8和R9之间是最外包层，其折射率为1.444024。