[发明专利]一种透明柔性异质PN结二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710806150.5 申请日: 2017-09-08
公开(公告)号: CN107623044A 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 张新安;张朋林;李爽;郑海务;张伟风 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/26;H01L21/34
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司41119 代理人: 胡云飞
地址: 475004*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种透明柔性异质PN结二极管及其制备方法,属于透明柔性电子电路技术领域。该透明柔性异质PN结二极管包括由下往上依次设置的透明柔性衬底、透明柔性正电极薄膜、透明柔性非晶态P型半导体薄膜、透明柔性非晶态N型半导体薄膜和透明柔性负电极薄膜,透明柔性非晶态N型半导体薄膜为以IZO、TZO、IGZO中的任意一种为靶材在有氧氛围下通过溅射制得;透明柔性非晶态P型半导体薄膜为以NiO、CuO、SnO中的任意一种为靶材在有氧氛围下通过溅射制得。本发明中由于异质PN结采用了非晶态氧化物半导体,避免了晶粒间界在机械形变下产生的电学不稳定性,从而使器件具有优异的柔韧性,可以用作透明柔性电路中的整流单元。
搜索关键词: 一种 透明 柔性 pn 二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种透明柔性异质PN结二极管,其特征在于,包括自下而上依次层叠设置的透明柔性衬底、透明柔性正电极薄膜、透明柔性非晶态P型半导体薄膜、透明柔性非晶态N型半导体薄膜和透明柔性负电极薄膜;所述透明柔性非晶态N型半导体薄膜为以IZO、TZO、IGZO中的任意一种为靶材在有氧氛围下通过溅射制得;所述透明柔性非晶态P型半导体薄膜为以NiO、CuO、SnO中的任意一种为靶材在有氧氛围下通过溅射制得。
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