[发明专利]一种IGBT模块封装结构有效
| 申请号： | 201710806890.9 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107731768B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 唐新灵;李现兵;张朋;张喆;吴鹏飞;武伟;林仲康;石浩;田丽纷;王亮 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/64;H01L25/07 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李旦华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 102209北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及大功率IGBT模块封装技术领域，具体涉及一种IGBT模块封装结构，包括绝缘基板；至少两个IGBT芯片并联支路组，设于所述绝缘基板上；至少两个发射极汇流结构，与所述IGBT芯片并联支路组一一对应地设置于所述绝缘基板上，且多个所述发射极汇流结构之间相互绝缘，每个所述IGBT芯片并联支路组的发射极与其对应的所述发射极汇流结构电气连接；发射极端子母线，设于所述绝缘基板上，与每个所述发射极汇流结构电气连接。本发明提供的IGBT模块封装结构，能够有效抑制关断时刻高频拖尾振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 封装 结构 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT模块封装结构，其特征在于，包括：/n绝缘基板(1)；/n至少两个IGBT芯片并联支路组(2)，设于所述绝缘基板(1)上；/n至少两个发射极汇流结构，与所述IGBT芯片并联支路组(2)一一对应地设置于所述绝缘基板(1)上，且多个所述发射极汇流结构之间相互绝缘，每个所述IGBT芯片并联支路组(2)的发射极与其对应的所述发射极汇流结构电气连接；/n发射极端子母线(6)，设于所述绝缘基板(1)上，与每个所述发射极汇流结构电气连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司，未经全球能源互联网研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710806890.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
