[发明专利]一种介孔SiO2/MoS2材料的制备方法及其应用

摘要

本发明提供了介孔SiO₂/MoS₂材料的制备方法，包括：步骤一，按一定比例称取介孔二氧化硅、硫源以及钼源；步骤二，将介孔二氧化硅、硫源以及钼源置于乙醇水溶液中超声分散得到均匀浑浊液；步骤三，将均匀浑浊液在真空条件下进行旋转并离心得到沉淀物；步骤四，将沉淀物转移至不锈钢反应釜中，加入聚乙二醇，密封反应得到反应产物；步骤五，先用乙醇胺水溶液对反应产物清洗，再用蒸馏水清洗，得到负载有MoS₂的介孔二氧化硅；步骤六，在水浴条件下向分散有负载有MoS₂的介孔二氧化硅的乙醇溶液加入硅烷偶联剂进行搅拌反应，并离心得到已修饰氨基的介孔SiO₂/MoS₂材料；步骤七，介孔SiO₂/MoS₂材料分散到水溶液中加入已活化的聚乙二醇进行反应，得到修饰完全稳定的介孔SiO₂/MoS₂材料。

主权项

1.一种介孔SiO₂/MoS₂材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，按一定比例称取介孔二氧化硅、硫源以及钼源；步骤二，将所述介孔二氧化硅、所述硫源以及所述钼源置于乙醇水溶液中超声分散10～60min，得到所述介孔二氧化硅、所述硫源以及所述钼源的均匀浑浊液；步骤三，将所述均匀浑浊液在真空度为‑80～‑100KPa的条件下进行旋转1～24h，旋转结束后进行离心得到沉淀物；步骤四，将所述沉淀物转移至不锈钢反应釜中的对位聚苯内衬中，加入聚乙二醇，密封反应一定时间，得到反应产物；步骤五，先用乙醇胺水溶液对所述反应产物清洗3～5次，然后再用蒸馏水对所述反应产物清洗3～5次，得到负载有MoS₂的介孔二氧化硅；步骤六，在温度为50～90℃的水浴条件下，向分散有所述负载有MoS₂的介孔二氧化硅的乙醇溶液中，加入硅烷偶联剂进行搅拌反应，得到反应产物，对该反应产物进行离心得到已修饰氨基的介孔SiO₂/MoS₂材料；步骤七，将已修饰氨基的所述介孔SiO₂/MoS₂材料分散到水溶液中，在搅拌条件下加入已活化的聚乙二醇进行反应，得到修饰完全稳定的所述介孔SiO₂/MoS₂材料，其中，在步骤一中，所述介孔二氧化硅的孔道孔径为50～150nm，直径为100～300nm，所述介孔二氧化硅与所述钼源的比例为0.05g：0.1mmol～0.05g：0.5mmol，所述钼源与所述硫源的物质的量的比例为1:1～1:4。