[发明专利]一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法有效
| 申请号： | 201710810781.4 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN107665810B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 符庭钊;王欢;崔绍晖;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，包括：将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；将经过常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗；将经过第一功率超声波清结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡；将经过第三丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第四丙酮溶液中，并以大于第一功率超声波的第二功率超声波对容置于第四丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗，以去除镀金属半导体片子上纳米级尺寸的光刻胶。本发明解决了纳米级尺寸结构内的未曝光光刻胶残留的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 尺寸 光刻 剥离 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，其特征在于，包括：将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；将经过所述常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于所述第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗；将经过所述第一功率超声波清结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡；将经过所述第三丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第四丙酮溶液中，并以大于第一功率超声波的第二功率超声波对容置于所述第四丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗，以去除所述镀金属半导体片子上纳米级尺寸的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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