[发明专利]半导体装置的连接结构以及其制作方法有效
| 申请号： | 201710811713.X | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109494214B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 翁宸毅;黄士哲;杨清利;张志圣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置的连接结构以及其制作方法。半导体装置的连接结构，包括层间介电层、顶部金属结构以及保护层。层间介电层设置于基底上。顶部金属结构设置于层间介电层上。顶部金属结构包括一底部以及一顶部。顶部设置于底部上，底部具有一第一侧壁，而顶部具有一第二侧壁。第一侧壁的斜率大于第二侧壁的斜率。保护层共形地设置于第二侧壁上、第一侧壁上以及层间介电层的上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 连接 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的连接结构，包括：层间介电层，设置于一基底上；顶部金属结构，设置于该层间介电层上，其中该顶部金属结构包括：底部，具有一第一侧壁；以及顶部，设置于该底部上，其中该顶部具有一第二侧壁，且该第一侧壁的斜率大于该第二侧壁的斜率；以及保护层，共形地设置于该第二侧壁上、该第一侧壁上以及该层间介电层的一上表面上。
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