[发明专利]一种高密度磁性存储器件有效
| 申请号： | 201710812254.7 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN107611255B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 赵巍胜;王昭昊;王梦醒;张磊 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种高密度磁性存储器件，在一条厚度为0～20nm的重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜上制造多个磁隧道结，每个磁隧道结代表一个存储位元。磁隧道结从下到上由厚度为0～3nm的第一铁磁金属，厚度为0～2nm的第一氧化物，厚度为0～3nm的第二铁磁金属，厚度为0～20nm的第一合成反铁磁层和厚度为10～200nm的第X顶端电极构成，其中X的值为磁隧道结代表的位元编号；重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜的两端分别镀有第一底端电极和第二底端电极。本发明可应用于高密度存储器和逻辑电路；采用单向电流写入数据，提高电路集成度，降低写入功耗和写入电压，减小读取干扰，有利于减少工艺复杂度和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 磁性 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种高密度磁性存储器件，其特征是：该存储器件包括一条厚度为0～20nm的重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜及在其上制造的多个磁隧道结，每个磁隧道结代表一个存储位元，每个磁隧道结从下到上由厚度为0～3nm的第一铁磁金属，厚度为0～2nm的第一氧化物，厚度为0～3nm的第二铁磁金属，厚度为0～20nm的第一合成反铁磁层和厚度为10～200nm的第X顶端电极共五层构成，其中X的值为磁隧道结所代表的存储位元编号；重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜的两端分别镀有第一底端电极和第二底端电极；其数据写入过程分两步进行：第一步将所有磁隧道结写为高电阻状态，第二步根据待写入的数据值将部分或全部磁隧道结写为低电阻状态；其中第一步通过在第一底端电极和第二底端电极之间施加单向电流实现，第二步通过在第一底端电极和第X顶端电极之间或者第二底端电极和第X顶端电极之间施加单向电流实现。
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