[发明专利]一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向双扩散晶体管有效
| 申请号： | 201710812421.8 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN107681004B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;董自明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，同时该多环结构还能在表面横向电场和体内纵向电场分布中均引入新的电场峰，利用电场调制效应对表面横向电场和体内纵向电场同时进行调制，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化。该结构不仅突破了横向双扩散晶体管由于纵向耐压受限而带来的击穿电压饱和问题，还能达到同时优化表面横向电场和体内纵向电场的作用，可以大幅度提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电场 调制 衬底 元素 半导体 横向 扩散 晶体管 | ||
【主权项】：
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