[发明专利]3D堆叠高动态CMOS图像传感器及其信号采集方法有效
| 申请号： | 201710815963.0 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107592477B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 段杰斌;温建新 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 陶金龙;张磊<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D堆叠高动态CMOS图像传感器，包括感光单元及信号处理单元，感光单元、信号处理单元分设于两个上下堆叠的芯片上，感光单元与信号处理单元的各节点之间通过金属连接柱相连接，通过将感光单元单独设于其中一个芯片上，以增加像素的填充率；本发明还公开了一种3D堆叠高动态CMOS图像传感器的信号采集方法，通过一次曝光，即可获得高动态范围的图像输出。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 动态 cmos 图像传感器 及其 信号 采集 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D堆叠高动态CMOS图像传感器，其特征在于，包括感光单元及信号处理单元；其中，所述感光单元、信号处理单元分设于两个上下堆叠的芯片上，所述感光单元与信号处理单元的各节点之间通过金属连接柱相连接；/n所述感光单元由一感光二极管构成，所述感光二极管的正极与电源负极相连，感光二极管的负极与信号处理单元相连；/n所述信号处理单元至少由第一MOS管至第四MOS管、一比较器、一计数器、一或门及一电流源构成；其中/n所述第一MOS管的源极与感光二极管的负极之间通过所述金属连接柱相连，第一MOS管的漏极同时与第二MOS管的源极以及第三MOS管的栅极相连，第一MOS管的栅极与第一控制信号相连；所述第二MOS管的漏极与电源正极相连，第二MOS管的栅极与或门的输出端相连；所述第三MOS管的漏极与电源正极相连，第三MOS管的源极与第四MOS管的漏极相连；所述第四MOS管的栅极与第二控制信号相连；所述电流源的正极同时与比较器的负向输入端以及第四MOS管的源极相连，并作为信号处理单元的输出端，电流源的负极与电源负极相连；所述比较器的正向输入端接一参考电压，比较器的负向输入端与信号处理单元的输出端相连；所述计数器与比较器的输出端相连；所述比较器的输出端及一第三控制信号分别与或门的两个输入端相连。/n
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