[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201710816103.9 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN108630513B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 川上雅敏;田中基裕;园田靖;佐藤浩平;安井尚辉 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高了处理的成品率的等离子体处理装置或方法。等离子体处理装置或方法通过气体供给单元向配置在真空容器内部的处理室内供给给定流量的处理用气体，利用包括使用以各不相同的条件供给的处理用气体在处理室内形成等离子体的多个处理步骤的工序，对载置于配置在处理室内的试样台上的晶片进行处理，上述工序具备在前后两个处理步骤之间向处理室内供给稀有气体的转移步骤，上述转移步骤包括：第一转移步骤，对稀有气体将其压力调节为与在前面的处理步骤中使用的处理用气体的条件相等来进行供给；和第二转移步骤，在该第一转移步骤之后，对稀有气体将其压力和流量调节为与在后面的处理步骤中使用的处理用气体的条件相等来进行供给。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，具备：处理室，其配置在真空容器内部；气体供给单元，其向该处理室内供给给定的流量的处理用气体；和试样台，其配置在所述处理室内，在其上表面载置处理对象的晶片，所述等离子体处理装置通过包括使用以分别不同的条件供给的所述处理用气体在处理室内形成等离子体的多个处理步骤的工序来对所述晶片进行处理，所述工序具备在前后两个所述处理步骤之间向所述处理室内供给稀有气体的转移步骤，所述转移步骤包括：第一转移步骤，对所述稀有气体将其压力调节为与在前面的所述处理步骤中使用的所述处理用气体的条件相等来进行供给；和第二转移步骤，在该第一转移步骤之后，对所述稀有气体将其压力和流量调节为与在后面的所述处理步骤中使用的所述处理用气体的条件相等来进行供给。
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