[发明专利]垂直金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开一种垂直金属氧化物半导体晶体管及其制作方法。垂直金属氧化物半导体晶体管，包含一基底，具有第一源/漏极区及第一层间介电层；一纳米线，设于第一层间介电层中，其中纳米线的下端部直接接触第一源/漏极区，上端部连接至第二源/漏极区，其中第二源/漏极区包含一导电层；一栅极，设于第一层间介电层中，环绕该纳米线；一接触洞，设于第一层间介电层中，邻近纳米线，其中接触洞显露出部分的第一源/漏极区；一接触插塞，设于接触洞内，其中接触插塞具有一上表面，与导电层的一上表面齐平；以及一第二层间介电层，覆盖第一层间介电层。

主权项

1.一种制作垂直金属氧化物半导体晶体管的方法，包含：提供一基底，其上具有一第一源/漏极区及一第一层间介电层，覆盖该第一源/漏极区；在该第一层间介电层中形成一开孔，显露出部分的该第一源/漏极区；在该开孔中外延成长出一纳米线；使该纳米线的一上表面凹入于该开孔中，如此于该纳米线上形成一凹陷结构；在该第一层间介电层中形成一接触洞，其中该接触洞显露出部分的该第一源/漏极区；在该凹陷结构及该接触洞中分别形成一导电层及一接触插塞，其中该导电层作为一第二源/漏极区；以一第一遮盖层覆盖该导电层并以一第二遮盖层覆盖该接触插塞，其中该第一遮盖层的一上表面、该第二遮盖层的一上表面与该第一层间介电层的一上表面齐平；在该第一层间介电层形成一环绕该纳米线的栅极沟槽；以及在该栅极沟槽中形成一栅极。