[发明专利]垂直型非易失性存储器件及其制造方法以及字线凹陷结构

摘要

本发明提供垂直型非易失性存储器件及其制造方法以及字线凹陷结构，其中沟道结构形成在其中的沟道孔的大小之间的差异被减小。垂直型非易失性存储器件包括在其表面内具有沟道孔凹陷区域的基板。沟道结构从基板的表面在沟道孔凹陷区域当中的多个沟道孔凹陷区域上突起，包括绝缘层和导电层的存储单元叠层可以沿着沟道结构的侧壁交替地层叠。公共源极线沿着基板的表面在沟道孔凹陷区域当中的在字线凹陷区域中的其它沟道孔凹陷区域上延伸，该字线凹陷区域将相邻的存储单元叠层分离。还讨论了相关的制造方法。

主权项

一种垂直型非易失性存储器件，包括：基板；沟道结构，在与所述基板垂直的第一方向上延伸；多个存储单元叠层，沿所述第一方向接触所述沟道结构的侧表面；凹陷区域，在所述基板的表面上在所述多个存储单元叠层当中的存储单元叠层之间；以及虚设沟道结构，在所述第一方向上延伸并暴露于所述凹陷区域。