[发明专利]一种半导体器件正面金属保护的方法有效
| 申请号： | 201710818698.1 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109494146B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杜宏强;王彦君;孙晨光;徐长坡;刘闯;王万礼;张晋英;李子科;武鹏;王志明;杜晓辉;赵杨;张新玲;刘丽媛;董子旭;刘文彬;乔智;印小松;刘晓芳;张建;张喆;徐阳 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体器件正面金属保护的方法，包括在对半导体器件进行背面金属工艺之前对半导体器件的正面金属粘附UV膜，在背面金属工艺之后使用UV灯照射UV膜，然后将半导体器件放置在载台上，并揭除UV膜。其中，UV膜为UV白膜，使用UV灯照射UV膜时的光照强度为400～700mJ/㎝ |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 正面 金属 保护 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件正面金属保护的方法，其特征在于：包括在对半导体器件进行背面金属工艺之前对所述半导体器件的正面金属粘附UV膜，在所述背面金属工艺之后使用UV灯照射所述UV膜，然后将所述半导体器件放置在载台上，并揭除所述UV膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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