[发明专利]具有超高受激布里渊散射增益的半悬空硫化砷条形波导及其制备方法有效
| 申请号： | 201710819590.4 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107490825B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 董玮;单义昆;张歆东 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/13;G02B6/122;H01S3/30 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种具有超高受激布里渊散射增益的半悬空硫化砷条形波导及其制备方法，属于集成光波导技术领域。由半悬空硫化砷波导芯层、脊型二氧化硅和硅衬底组成，半悬空硫化砷波导芯层制备在脊型二氧化硅上，而脊型二氧化硅制备在硅衬底上；半悬空硫化砷波导芯层的材料是As2S3，横截面是正方形，边长为0.9～1.3μm；支撑结构为脊型二氧化硅，脊型二氧化硅的脊宽度为0.1～0.3μm，脊高度1～3μm，半悬空硫化砷波导芯层、脊型二氧化硅和硅衬底的长度一致，为3～6cm，光沿着波导的长度方向传输。硅衬底为(100)晶向，其厚度为200～500微米；脊型二氧化硅的中心对称轴位于半悬空硫化砷波导芯层的中心对称位置处。采用上述方法的硫化砷半悬空条形波导，可以实现超高的受激布里渊增益。 | ||
| 搜索关键词： | 脊型 二氧化硅 硫化砷波导 悬空 芯层 硅衬底 硫化砷 制备 受激布里渊散射 条形波导 波导 二氧化硅制备 中心对称位置 集成光波导 中心对称轴 长度一致 悬空条形 支撑结构 边长 晶向 传输 | ||
【主权项】：
1.一种具有超高受激布里渊散射增益的半悬空硫化砷条形波导，其特征在于：由半悬空硫化砷波导芯层(1)、脊型二氧化硅(2)和硅衬底(3)组成，半悬空硫化砷波导芯层(1)制备在脊型二氧化硅(2)上，而脊型二氧化硅(2)制备在硅衬底(3)上；半悬空硫化砷波导芯层(1)的材料是As2S3，其SBS增益系数为7.2×10‑10m/W，光波长为1550nm时折射率为2.45，芯层横截面是正方形，边长为0.9～1.3μm；脊型二氧化硅(2)为支撑结构，光波长为1550nm时折射率为1.45，脊型二氧化硅(2)的脊宽度为0.1～0.3μm，脊高度1～3μm；半悬空硫化砷波导芯层(1)、脊型二氧化硅(2)和硅衬底(3)的长度一致，为3～6cm，光沿着波导的长度方向传输；硅衬底(3)为(100)晶向，其厚度为200～500微米；脊型二氧化硅(2)的中心对称轴位于半悬空硫化砷波导芯层(1)的中心对称位置处。
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