[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管有效
| 申请号： | 201710820457.0 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107681029B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;周启伦;钟志白;臧雅姝;徐宸科;李志明;杜伟华;邓和清;林峰;李水清;陈松岩;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱和P型氮化物半导体，所述多量子阱由阱层和垒层组成的周期结构，多量子阱的阱层两侧具有局域量子态量子限制层，该局域量子态量子限制层至少由4组子局域量子态层和子垒层构成，分别包括第一、二、三、四子局域量子态层和第一、二、三、四子垒层。每一周期量子阱的子阱层两侧的局域量子态量子限制层形成局域量子态，从而提升量子阱的电子和空穴的注入效率、限制效应、量子尺寸效应和复合效率，提升发光效率和量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子态 多量子阱 量子限制 垒层 氮化物半导体 发光二极管 量子阱 子局 阱层 量子尺寸效应 空穴 发光效率 复合效率 量子效率 周期结构 注入效率 子阱 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱和P型氮化物半导体，所述多量子阱由阱层和垒层组成的若干个周期结构，所述多量子阱的阱层由主阱层和局域量子态限制层组成，所述多量子阱的主阱层两侧具有局域量子态量子限制层，所述局域量子态量子限制层至少由4组子局域量子态层和子垒层构成，分别包括第一、二、三、四子局域量子态层和第一、二、三、四子垒层。
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