[发明专利]半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 201710821352.7 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109494149B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;李甫哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构的制作方法，包含：首先，提供一多层结构位于一基底上，该多层结构至少包含有一第一介电层，一第二介电层位于该第一介电层上，以及一非晶硅层位于该第二介电层上，接着进行一第一蚀刻步骤，移除部分该非晶硅层与部分该第二介电层，以形成一第一凹槽位于该非晶硅层与该第二介电层中，该第一凹槽曝露出部分该第一介电层，然后形成一掩模层于该第一凹槽中，其中该掩模层完全覆盖该第一介电层，接下来进行一第二蚀刻步骤，移除部分该掩模层，并再次曝露出该第一介电层表面，以及进行一第三蚀刻步骤，以剩余的该掩模层为一掩模，移除部分该第一介电层，以于该第一介电层中形成一第二凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，包含：提供一多层结构位于一基底上，该多层结构至少包含有一第一介电层，一第二介电层位于该第一介电层上，以及一非晶硅层位于该第二介电层上；进行一第一蚀刻步骤，移除部分该非晶硅层与部分该第二介电层，以形成一第一凹槽位于该非晶硅层与该第二介电层中，该第一凹槽曝露出部分该第一介电层；形成一掩模层于该第一凹槽中，其中该掩模层完全覆盖该第一介电层；进行一第二蚀刻步骤，移除部分该掩模层，并再次曝露出该第一介电层表面；以及进行一第三蚀刻步骤，以剩余的该掩模层为一掩模，移除部分该第一介电层，以于该第一介电层中形成一第二凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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