[发明专利]一种TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线的校准方法有效
| 申请号： | 201710822297.3 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107622959B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 师沛 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06F17/50;G01R31/26 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 陶金龙;张磊<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线的校准方法，包括：建立TCAD工艺仿真程序并运行，得到MOS电容的仿真器件结构；进行实际流片，得到相应尺寸的MOS电容器件；对MOS电容器件进行测试，获得实际MOS电容CV特性曲线，计算得到栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度；根据栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度，对TCAD仿真中的栅氧厚度和沟道掺杂浓度进行校准，得到TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线；将TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线与实际测试结果进行对比和调整，获得硅禁带中的快速表面态分布；进一步调整硅和二氧化硅界面的固定电荷，以调整TCAD仿真中的阈值电压。本发明能够使TCAD仿真结果复现MOS电容CV特性曲线的测量结果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tcad 仿真 mos 电容 cv 特性 曲线 校准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线的校准方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S01：建立TCAD工艺仿真程序，并运行得到MOS电容的仿真器件结构；/n步骤S02：进行实际流片，制作得到相应尺寸的MOS电容器件；/n步骤S03：对所得MOS电容器件进行测试，获得实际MOS电容CV特性曲线，并计算得到栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度；/n步骤S04：根据栅氧厚度拟合值和实际沟道掺杂浓度，对TCAD仿真中的栅氧厚度和沟道掺杂浓度进行校准，得到TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线；/n步骤S05：将TCAD仿真中MOS电容CV特性曲线与实际测试结果进行对比和调整，获得硅禁带中的快速表面态分布；/n步骤S06：进一步调整硅和二氧化硅界面的固定电荷，以调整TCAD仿真中的阈值电压。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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