[发明专利]模拟浮动栅极测斜仪有效
| 申请号： | 201710822771.2 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107830844B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | M·埃斯丘 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | G01C9/18 | 分类号： | G01C9/18;G01C25/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种模拟浮动栅极AFG测斜仪(102)，其中提供多个AFG传感器(110(N))以检测由容纳于密封微沟道(104)中的导电液滴(118)在重力下沉降导致的放电的存在。与所述AFG传感器(110(N))相关联的多个传感器端口电极(106(N)、108(N))沿着所述测斜仪(102)的弯曲密封微沟道(104)的长度放置于按对应角度倾斜校准的特定位置处。在测量期间在特定AFG传感器端口(110(i))处检测到的由于所述导电液滴(118)在重力下的移动导致的放电用于确定所测量的表面倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 模拟 浮动 栅极 测斜仪 | ||
【主权项】：
一种测斜仪，其包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上方的电介质层，所述电介质层界定容纳导电液滴的密封弧形微沟道；位于所述密封弧形微沟道中的接入端口电极，所述接入端口电极中的每一者与在所述相应接入端口电极的接近范围内的参考电极相关联且沿着所述密封弧形微沟道的弯曲部分安置，所述接入端口电极以按角度倾斜分辨率校准的弧长度彼此间隔开；及位于所述半导体衬底中的模拟浮动栅极AFG装置，其各自对应于一或多个接入端口电极，其中所述AFG装置中的每一者包括电耦合到所述对应接入端口电极的第一导体及电耦合到与所述对应接入端口电极相关联的所述参考电极的第二导体。
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