[发明专利]一种Ru修饰CoNiP纳米晶及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201710823466.5 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107507987B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 刘苏莉;陈昌云;穆雪琴;吕云;陈碧瑶;王磊;周全 申请(专利权)人: 南京晓庄学院
主分类号: H01M4/90 分类号: H01M4/90
代理公司: 南京先科专利代理事务所(普通合伙) 32285 代理人: 缪友菊
地址: 210000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种Ru修饰CoNiP纳米晶及其制备方法和应用,属于纳米领域。Ru修饰CoNiP纳米晶是金属单质修饰的不规则薄片结构,其晶相为Ru是面心立方相,CoNiP纳米晶是六方晶相。本发明采用“一锅煮”的制备方法,利用程序控温模式得到Ru修饰CoNiP纳米晶,所制备的Ru修饰CoNiP纳米晶具有优异的HER性能,优于商业Pt‑C催化剂。同时该制备方法具有工艺简单,反应温度低,时间短,适合于批量生产的工业化特点。
搜索关键词: 纳米晶 修饰 制备 制备方法和应用 薄片结构 程序控温 金属单质 面心立方 不规则 六方晶 一锅煮 催化剂 生产
【主权项】:
1.一种Ru修饰CoNiP纳米晶,其特征在于,所述的纳米晶为金属‑半导体异质结结构,其中CoNiP纳米晶晶相为六方晶相,Ru为面心立方相。
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