[发明专利]一种解决晶圆薄膜层剥落方法及清洗装置在审
申请号: | 201710823925.X | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN108109902A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 刘浩;王晟;张兴平;褚海波;魏广升 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L27/146 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种解决晶圆薄膜层剥落方法及清洗装置,应用于清洗装置中,清洗装置包括,容腔,以及设置于容腔内的电子卡盘,电子卡盘用以放置晶圆,其中,晶圆正面包括薄膜层以及位于晶圆边缘的刻蚀区域;包括以下步骤:步骤S1、将晶圆的正面朝下固定放置于电子卡盘上;步骤S2、控制电子卡盘旋转以带动晶圆旋转;步骤S3、向晶圆的背面喷洒酸性清洗剂,使酸性清洗剂流到晶圆表面的刻蚀区域以刻蚀去除刻蚀区域中的薄膜层;步骤S4、向晶圆的背面喷洒溶剂;步骤S5、使溶剂覆盖刻蚀区域,以去除残留在刻蚀区域中的酸性清洗剂以及薄膜层。其技术方案的有益效果在于,克服了现有技术中薄膜层会掉落在晶圆的边缘较难去除的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 刻蚀区域 清洗装置 薄膜层 电子卡 酸性清洗剂 去除 晶圆薄膜 溶剂 容腔 剥落 喷洒 背面 固定放置 晶圆边缘 晶圆表面 晶圆正面 掉落 刻蚀 盘旋 残留 覆盖 应用 | ||
【主权项】:
1.一种解决晶圆薄膜层剥落方法,应用于清洗装置中,所述清洗装置包括,容腔,以及设置于所述容腔内的电子卡盘,所述电子卡盘用以放置晶圆,其特征在于,所述晶圆正面包括薄膜层以及位于所述晶圆边缘的刻蚀区域;包括以下步骤:步骤S1、将所述晶圆的正面朝下固定放置于所述电子卡盘上;步骤S2、控制所述电子卡盘旋转以带动所述晶圆旋转;步骤S3、向所述晶圆的背面喷洒酸性清洗剂,使所述酸性清洗剂流到所述晶圆表面的所述刻蚀区域以刻蚀去除所述刻蚀区域中的所述薄膜层;步骤S4、向所述晶圆的背面喷洒溶剂;步骤S5、使所述溶剂覆盖所述刻蚀区域,以去除残留在所述刻蚀区域中的所述酸性清洗剂以及所述薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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