[发明专利]一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用有效
| 申请号： | 201710825459.9 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107346095B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李森虎;殷福华;徐辉;赵文虎;顾玲燕 | 申请（专利权）人： | 江阴江化微电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 无锡坚恒专利代理事务所(普通合伙) 32348 | 代理人： | 杜兴 |
| 地址： | 214400 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制程正性光刻胶去胶液，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水，添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物，低碳硝基烷烃的碳原子数为1～3。该半导体制程正性光刻胶去胶液可以快速去除正性光刻胶层，且去胶液中光刻胶的溶解度增加，处理后的半导体表面无光刻胶残留，且对光刻胶下方的铝层或铜层或铜铝合金层没有腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制程正性 光刻 胶去胶液 应用 | ||
【主权项】：
一种半导体制程正性光刻胶去胶液，其特征在于，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水，添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物，低碳硝基烷烃的碳原子数为1～3。
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