[发明专利]一种富硒观音阁花生种植方法在审

专利信息
申请号: 201710825840.5 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107567751A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 佛山市三水区嘉信农业技术研究院(普通合伙)
主分类号: A01C1/00 分类号: A01C1/00;A01C1/06;A01G24/27;A01G31/00;C05G1/00;A01N43/16;A01N59/02;A01N37/36;A01N63/04;A01P21/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528000 广东省佛山市三水区白坭镇三*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种富硒观音阁花生种植方法,利用珍珠岩和蛭石制成育苗基质,将种子播入育苗基质,然后将幼苗移栽到含有由蕨渣煤矸石=12‑4制备的种植用基质和基肥的栽培袋,通过观音阁花生在生长期间补充加硒液肥,追加肥,促进植物生长,更好更合适地为植物提供营养,从而获得富硒观音阁花生。
搜索关键词: 一种 观音 花生 种植 方法
【主权项】:
一种富硒观音阁花生种植方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)种子处理:选择饱满花生荚果,在播种前晒果2‑3d后剥壳,选出完整粒大种子作种仁,用0.6‑0.8%碳酸氢钾浸泡2‑3h,再用2%赤霉素溶液浸泡2‑3h,然后用增产拌种剂拌种4‑6h,晾干;(2)催芽育苗:将种子播入盛有珍珠岩的穴盘中,每穴播3‑4颗,播种后覆蛭石0.5‑1cm,用育苗营养液润湿基质,育苗温度22‑25℃;(3)幼苗移栽:幼苗长至二叶一心时,移栽至栽培袋,栽培袋内种植用基质与种植用基肥体积比为2‑3:1,定植后用清水润湿基质;(4)追施硒肥:分别在开花下针期和花生饱果成熟期叶面喷施1次加硒液肥;(5)种植管理:保持温度18‑25℃,开花下针期间喷施1mg/L噻苯隆溶液2次,开花下针期前每2‑3d用水润湿基质1次,开花下针期后每天用水润湿基质2‑3次;(6)采摘:当植株由绿变黄,主茎保留3‑4片绿叶时,即可采收。
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