[发明专利]一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710826236.4 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107732001B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 谭鑫;才智;冯志红;吕元杰;王元刚;宋旭波;周幸叶;房玉龙;顾国栋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L41/04 | 分类号： | H01L41/04;H01L41/113;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/25 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法,涉及半导体压力传感器技术领域；包括键合晶圆、键合介质、衬底、缓冲层、势垒层、金属导线、势垒层、空腔和欧姆电极，缓冲层5材料为氮化镓，势垒层6材料为In |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 惠斯顿 电桥 结构 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器，包括键合晶圆11、键合介质10、衬底4、缓冲层5、金属导线9、势垒层6、空腔3和欧姆电极8，其特征在于：所述缓冲层5材料为氮化镓；势垒层材料为InxAlyGa1‑x‑yN多元化合物。
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