[发明专利]形成存储器电容的方法有效
| 申请号： | 201710826528.8 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109509836B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;李甫哲;陈界得 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成存储器电容的方法。首先提供一基底，基底中具有多个存储点，然后在基底上形成一图案化支撑层。在图案化支撑层上形成一底电极层，底电极层共形地形成在图案化支撑层上以及其开口的表面上，并接触存储点。接着在底电极层上形成一牺牲层。后续进行一软蚀刻工艺，以移除位于图案化支撑层的顶面上以及位于开口的部分侧壁上的底电极层，其中软蚀刻工艺包含使用一含氟化合物、一含氮与氢化合物以及一含氧化合物。接着完全移除牺牲层，并移除部分的图案化支撑层，在底电极层上形成一电容介电层，最后在电容介电层上形成一顶电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 存储器 电容 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成存储器电容的方法，其特征在于包含：提供一基底，所述基底中具有多个存储垫；在所述基底上形成一图案化支撑层，所述图案化支撑层具有多个开口，每个所述开口对应每个所述存储垫；在所述图案化支撑层上形成一底电极层，所述底电极层共形地形成在所述图案化支撑层上以及所述开口的侧壁与底面上，并接触所述存储垫；在所述底电极层上形成一牺牲层，所述牺牲层填入所述开口中；进行一软蚀刻工艺，以移除位于所述图案化支撑层上以及位于所述开口的部分侧壁上的所述底电极层，其中所述软蚀刻工艺包含使用一含氟化合物、一含氮与氢化合物以及一含氧化合物；完全移除所述牺牲层；移除部分的所述图案化支撑层；在所述底电极层上形成一电容介电层；以及在所述电容介电层上形成一顶电极层。
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