[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底、一金属栅极，设于基底上、一第一层间介电层，设于金属栅极周围，其中金属栅极的上表面低于第一层间介电层的上表面，在金属栅极上构成一凹陷区域。一掩模层，设于凹陷区域内。一孔隙，位于凹陷区域内的掩模层中。一第二层间介电层，设于掩模层及第一层间介电层上。一接触洞，穿过第二层间介电层及掩模层，其中接触洞显露出金属栅极的上表面，并且与孔隙连通。一导电层，填入接触洞内，并延伸进入孔隙中。

主权项

1.一种半导体元件，包含：基底；金属栅极，设于该基底上；第一层间介电层，设于该金属栅极周围，其中该金属栅极的上表面低于该第一层间介电层的上表面，在该金属栅极上构成一凹陷区域；掩模层，设于该凹陷区域内；孔隙，位于该凹陷区域内的该掩模层中；第二层间介电层，设于该掩模层及该第一层间介电层上；接触洞，穿过该第二层间介电层及该掩模层，其中该接触洞显露出该金属栅极的上表面，并且与该孔隙连通；及导电层，填入该接触洞内，并延伸进入该孔隙中。