[发明专利]一种采用电感抵消技术的超宽带放大器电路

摘要

本发明公开了一种采用电感抵消技术的超宽带放大器电路，包括有源偏置电路、电感抵消元件、电源VDD及两个晶体管堆叠的共源‑共栅结构，其中，有源偏置电路与电源VDD连接。电感抵消元件包括电感L2和电感L3，共源‑共栅结构中的两个晶体管分别为晶体管M1和晶体管M2，晶体管M1源极通过电感L2接地，晶体管M1栅极串接电阻R1后输入栅压。晶体管M2源极与晶体管M1漏极连接，晶体管M2栅极通过电容C2接地，晶体管M2栅极串接电阻R3后输入栅压，晶体管M3漏极串接电感L3后与有源偏置电路连接。本发明的工作频率覆盖兆赫兹(MHz)到吉赫兹(GHz)，带宽与分布式放大器相当，而单元电路增益性能、功耗和芯片面积等优于分布式结构。

主权项

一种采用电感抵消技术的超宽带放大器电路，其特征在于，包括有源偏置电路、电感抵消元件、电源VDD及两个晶体管堆叠的共源‑共栅结构，所述有源偏置电路与电源VDD连接；所述电感抵消元件包括电感L2和电感L3，所述共源‑共栅结构中的两个晶体管分别为晶体管M1和晶体管M2，所述晶体管M1源极通过电感L2接地，晶体管M1栅极串接电阻R1后输入栅压；所述晶体管M2源极与晶体管M1漏极连接，晶体管M2栅极通过电容C2接地，晶体管M2栅极串接电阻R3后输入栅压，晶体管M3漏极串接电感L3后与有源偏置电路连接；所述电感L2与电感L3之间通过变压器进行耦合，以抵消电感L2对高频增益的影响；所述晶体管M1的栅极连接有输入端口，电感L3与有源偏置电路之间的线路上设有输出端口。