[发明专利]一种多倍频程超宽带放大器电路在审
| 申请号： | 201710827376.3 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107634729A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 马凯学;胡建全 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F3/68;H04B1/40 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人： | 郭受刚 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多倍频程超宽带放大器电路，包括三个晶体管堆叠的共源‑共栅结构、有源‑无源混合型偏置电路及电源VDD，其中，共源‑共栅结构中的三个晶体管分别为晶体管M1、晶体管M2及晶体管M3，晶体管M1栅极、晶体管M2栅极、晶体管M3栅极及有源‑无源混合型偏置电路均与电源VDD连接，晶体管M1源极接地，晶体管M2栅极通过电容C2接地，晶体管M3栅极通过电容C3接地。晶体管M2源极与晶体管M1漏极连接，其漏极与晶体管M3源极连接，晶体管M3漏极与有源‑无源混合型偏置电路连接。本发明工作频率覆盖兆赫兹(MHz)到吉赫兹(GHz)，带宽与分布式放大器相当，而单元电路增益性能、功耗和芯片面积等优于分布式结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倍频 宽带 放大器 电路 | ||
【主权项】：
一种多倍频程超宽带放大器电路，其特征在于，包括三个晶体管堆叠的共源‑共栅结构、有源‑无源混合型偏置电路及电源VDD，所述共源‑共栅结构中的三个晶体管分别为晶体管M1、晶体管M2及晶体管M3，所述晶体管M1栅极、晶体管M2栅极、晶体管M3栅极及有源‑无源混合型偏置电路均与电源VDD连接，晶体管M1源极接地，晶体管M2栅极通过电容C2接地，晶体管M3栅极通过电容C3接地；所述晶体管M2源极与晶体管M1漏极连接，其漏极与晶体管M3源极连接，所述晶体管M3漏极与有源‑无源混合型偏置电路连接；所述晶体管M1的栅极连接有输入端口，晶体管M3漏极与有源‑无源混合型偏置电路之间的线路上设有输出端口。
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