[发明专利]半导体的锡银接合结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710827840.9 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN109509731A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 卢威华 | 申请（专利权）人： | 屏东科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;C23C18/44;C23C18/52 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种半导体的锡银接合结构及其制造方法，该半导体的锡银接合结构具有导接铜层、锡镀层及银镀层，该导接铜层与含锡镀液接触以进行第一化学镀反应，使该锡镀层直接形成于该导接铜层表面，该锡镀层与含银镀液接触以进行第二化学镀反应，使该银镀层直接形成于该锡镀层表面，其中该银镀层用以抑制该锡镀层表面形成锡须。 | ||
| 搜索关键词： | 锡镀层 接合结构 银镀层 导接 锡银 半导体 直接形成 化学镀 铜层 表面形成 铜层表面 锡镀液 镀液 含银 锡须 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体的锡银接合结构，其特征在于其包含：导接铜层，具有第一显露面；锡镀层，直接形成于该导接铜层的该第一显露面，含锡镀液与该导接铜层进行第一化学镀反应以形成该锡镀层，该锡镀层具有第二显露面；以及银镀层，直接形成于该锡镀层的该第二显露面，含银镀液与该锡镀层进行第二化学镀反应以形成该银镀层，该银镀层用以抑制该锡镀层的该第二显露面形成锡须。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于屏东科技大学，未经屏东科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710827840.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液冷式冷却装置
- 下一篇：集成电路的压焊盘结构及其工艺方法
